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- [发明专利]抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜-CN202210628366.8在审
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池田梢
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富士胶片株式会社
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2022-06-06
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2022-12-20
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H01L21/56
- 本发明涉及抗蚀剂膜的形成方法及抗蚀剂膜,所述抗蚀剂膜通过上述抗蚀剂膜的形成方法形成。上述抗蚀剂膜的形成方法使用了在常温下高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂,上述抗蚀剂膜的形成方法能够形成膜厚为300μm以上且面内膜厚变动在10%以内的抗蚀剂膜。上述抗蚀剂膜的形成方法包括:工序A,在基材上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s~30000mPa·s的抗蚀剂,从而形成上述抗蚀剂膜;工序B,对配置在由限制上述抗蚀剂流出的限制部件包围的区域内的上述抗蚀剂膜进行热处理;及工序C,隔着片材对配置在通过设置将上述抗蚀剂膜调整为所期望厚度的调整部件而形成的区域内的、上述热处理后的上述抗蚀剂膜进行热压。
- 抗蚀剂膜形成方法
- [发明专利]用于制备光致抗蚀剂图案的方法-CN201010517468.X无效
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畑光宏;桥本和彦
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住友化学株式会社
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2010-10-19
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2011-05-04
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G03F7/00
- 本发明提供用于制备光致抗蚀剂图案的方法,所述方法包括步骤(1)至(11):(1)在基底上涂覆第一光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第一光致抗蚀剂膜,(2)预焙烘第一光致抗蚀剂膜,(3)将预烘焙的第一光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(4)烘焙曝光的第一光致抗蚀剂膜,(5)用第一碱性显影液将烘焙的第一光致抗蚀剂膜显影,由此形成第一光致抗蚀剂图案,(6)在第一光致抗蚀剂图案上形成涂层,(7)在涂层上涂覆第二光致抗蚀剂组合物,接着进行干燥,由此形成第二光致抗蚀剂膜,(8)预焙烘第二光致抗蚀剂膜,(9)将预烘焙的第二光致抗蚀剂膜曝光于辐射,(10)烘焙曝光的第二光致抗蚀剂膜,和(11)用第二碱性显影液将烘焙的第二光致抗蚀剂膜显影,由此形成第二光致抗蚀剂图案
- 用于制备光致抗蚀剂图案方法
- [发明专利]抗蚀剂膜的形成方法-CN202210627987.4在审
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池田梢
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富士胶片株式会社
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2022-06-06
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2022-12-20
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H01L21/56
- 本发明提供一种抗蚀剂膜的形成方法,其使用了在常温下具有高粘度且因加热而上述粘度降低的抗蚀剂,在所述抗蚀剂膜的形成方法中,能够形成气泡减少的抗蚀剂膜。所述抗蚀剂膜的形成方法包括:工序A,在基板上赋予23℃下的粘度为1000mPa·s~30000mPa·s的抗蚀剂,从而形成上述抗蚀剂膜;及工序B,对上述抗蚀剂膜进行热处理,上述工序B包括:工序B‑1,通过逐级地或连续地提高上述抗蚀剂膜的温度而降低上述抗蚀剂的粘度;及工序B‑2,在真空环境下加热粘度为5000mPa·s以下的上述抗蚀剂膜。
- 抗蚀剂膜形成方法
- [发明专利]掩模坯件的制造方法-CN200580032601.X有效
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大久保靖
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HOYA株式会社
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2005-11-04
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2007-08-29
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G03F1/14
- 于掩模坯件用基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法,此方法包括:保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序;将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序;基于上述抗蚀剂膜形成信息,确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序;将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序;在剥离了上述抗蚀剂膜的上述薄膜上再次形成抗蚀剂膜的工序。
- 掩模坯件制造方法
- [发明专利]接触孔的形成方法和半导体器件的制造方法-CN200410083750.6无效
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小林祐二
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株式会社东芝
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2004-10-14
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2005-04-20
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H01L21/30
- 用以规定的间隔2维状地配置有掩模图形的第1光掩模使在半导体基板上边形成的抗蚀剂膜曝光,对上述抗蚀剂膜进行显影处理,在上述抗蚀剂膜上形成与上述掩模图形对应的接触孔图形,缩小在上述抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形的开口尺寸,采用使用已形成了规定的图形的第2光掩模使上述抗蚀剂膜曝光的办法,使作为与上述规定的图形对应的上述抗蚀剂膜的部分的第1抗蚀剂膜的熔化开始温度设定得比上述第1抗蚀剂膜以外的第2抗蚀剂膜的熔化开始温度相对地高,采用在上述第2抗蚀剂膜的熔化开始温度或其以上而且在不到上述第1抗蚀剂膜的熔化开始温度的温度对上述半导体基板进行加热处理的办法,使上述第2抗蚀剂膜熔化,消灭在上述第2抗蚀剂膜上形成的上述接触孔图形。
- 接触形成方法半导体器件制造
- [发明专利]制造半导体器件的方法及图案形成方法-CN201010219713.9无效
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宫本宏之
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索尼公司
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2010-06-29
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2011-01-12
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H01L21/00
- 制造半导体器件的方法包括:第一抗蚀剂膜形成工艺,使用正型光致抗蚀剂材料在处理的目标表面上形成第一抗蚀剂膜;第一抗蚀剂图案形成工艺,在曝光之后进行显影而形成第一抗蚀剂图案,在曝光中曝光光照射到第一抗蚀剂膜上;第二抗蚀剂膜形成工艺,使用光致抗蚀剂材料在形成有第一抗蚀剂图案的处理的目标表面上形成第二抗蚀剂膜;以及第二抗蚀剂图案形成工艺,通过进行曝光并然后进行显影来形成第二抗蚀剂图案,在曝光中曝光的光照射到第二抗蚀剂膜上该方法还包括不溶解化处理工艺,用于使第一抗蚀剂图案不溶解于第二抗蚀剂图案形成工艺中使用的显影剂和光致抗蚀剂材料的溶剂。
- 制造半导体器件方法图案形成
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